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MLCC(Multilayer Ceramic Capacitors)起到儲電后定量輸送電的“水壩”作用，調(diào)節(jié)使電流在電路中定量傳輸，防止元器件間出現(xiàn)電磁波干擾現(xiàn)象。厚度為0.3mm，僅為一粒米的250分之1，在如此薄的厚度中其內(nèi)部只有盡量實現(xiàn)薄的多層堆疊，才能儲存更多的電，因此這是技術(shù)能力十分重要的部分。

NAND 閃存
三星一直都是閃存技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新者，提供一系列高性能、高密度、高可靠性的數(shù)據(jù)存儲解決方案，這些解決方案可應(yīng)用于 PC、企業(yè)級存儲、移動設(shè)備、品牌 SSD 和外部內(nèi)存卡。

動態(tài)隨機存儲器
作為 20 多年的內(nèi)存行業(yè)翹楚，自 20 世紀(jì) 80 年代初以來，三星就一直致力于開創(chuàng)里程碑式的 DRAM 技術(shù)。三星先進(jìn)的 DRAM 解決方案具有業(yè)界先進(jìn)的性能、密度和能效，廣泛應(yīng)用于當(dāng)今最新的數(shù)字設(shè)備中。三星一直以來都提供業(yè)界先進(jìn)的 DRAM 解決方案，這些解決方案采用 10 納米級工藝和 HBM 內(nèi)存，用于高性能計算 (HPC)、高級圖形和網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、下一代數(shù)據(jù)中心、企業(yè)級服務(wù)器和人工智能等應(yīng)用，可處理數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用（包括實時分析、高頻交易和人工智能）。